型號: | IXGA15N120C |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | Lightspeed Series IGBT(VCES為1200V,VCE(sat)為3.8V的絕緣柵雙極晶體管) |
中文描述: | 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AA |
封裝: | TO-263AA, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 51K |
代理商: | IXGA15N120C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXGA20N100 | IGBT |
IXGP20N100 | IGBT |
IXGA20N120 | IGBT |
IXGP20N120 | IGBT |
IXGA20N60B | HiPerFAST IGBT(VCES為600V,VCE(sat)為1.7V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXGA16N60B2 | 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 2.3V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGA16N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 2.3V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGA16N60C2 | 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 3.0V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGA16N60C2_10 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBTs C2-Class High Speed |
IXGA16N60C2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 3.0V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |