型號: | IXGA15N120B |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | HiPerFAST IGBT(VCES為1200V,VCE(sat)為3.2V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管) |
中文描述: | 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB |
封裝: | D2PAK-3 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 51K |
代理商: | IXGA15N120B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IXGA15N120C | Lightspeed Series IGBT(VCES為1200V,VCE(sat)為3.8V的絕緣柵雙極晶體管) |
IXGA20N100 | IGBT |
IXGP20N100 | IGBT |
IXGA20N120 | IGBT |
IXGP20N120 | IGBT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXGA15N120C | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT |
IXGA16N60B2 | 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 2.3V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGA16N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 2.3V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGA16N60C2 | 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 3.0V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGA16N60C2_10 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBTs C2-Class High Speed |