參數(shù)資料
型號： IXGA15N120B
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT(VCES為1200V，VCE(sat)為3.2V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 51K
代理商： IXGA15N120B
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic Values
Min. Typ.
Max.
g
fs
I
C
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
12
15
S
C
ies
C
oes
C
res
1720
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
95
35
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
69
13
26
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
25
15
ns
ns
ns
ns
mJ
180
160
1.75
280
320
3.0
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
25
18
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.60
300
360
3.5
R
thJC
R
thCK
0.83
K/W
K/W
TO-220
0.5
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 960 V, R
G
= R
off
= 10
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 960 V, R
G
= R
off
= 10
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
IXGA 15N120B
IXGP 15N120B
TO-263 AA (IXGA) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
Inches
Min.
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
Max.
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
Max.
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
TO-220 AB (IXGP) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
12.70
14.73
9.91
3.54
5.85
2.54
1.15
2.79
0.64
2.54
4.32
1.14
0.35
2.29
Inches
Min.
0.500
0.580
0.390
0.139
0.230
0.100
0.045
0.110
0.025
0.100
0.170
0.045
0.014
0.090
Max.
13.97
16.00
10.66
4.08
6.85
3.18
1.65
5.84
1.01
BSC
4.82
1.39
0.56
2.79
Max.
0.550
0.630
0.420
0.161
0.270
0.125
0.065
0.230
0.040
BSC
0.190
0.055
0.022
0.110
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
Min. Recommended Footprint
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGA15N120C Lightspeed Series IGBT(VCES為1200V，VCE(sat)為3.8V的絕緣柵雙極晶體管)
IXGA20N100 IGBT
IXGP20N100 IGBT
IXGA20N120 IGBT
IXGP20N120 IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGA15N120C 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
IXGA16N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 2.3V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA16N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 2.3V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA16N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 3.0V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA16N60C2_10 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBTs C2-Class High Speed
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