參數(shù)資料
型號(hào)： IXGA12N60C
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 96K
代理商： IXGA12N60C
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXGA12N60C IXGP12N60C
Fig. 11. Transient Thermal Resistance
Fig. 8. Dependence of E
ON
and E
OFF
on R
G
.
Fig. 7. Dependence of E
ON
and E
OFF
on I
C
.
Fig. 9. Gate Charge
Fig. 10. Turn-off Safe Operating Area
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
10
20
30
40
50
V
G
0
4
8
12
16
R
- Ohms
0
10
20
30
40
50
60
E
(
0
1
2
3
E
(
0.0
0.5
1.0
1.5
I
C
- Amperes
0
5
10
15
20
25
E
(
0
1
2
3
E
(
0.0
0.5
1.0
1.5
V
CE
= 300V
I
C
= 6A
I
C
= 12A
E
(ON)
E
(OFF)
T
J
= 125°C
R
G
= 4.7
dV/dt < 5V/ns
D=0.5
D=0.1
D=0.05
D=0.01
Single pulse
D = Duty Cycle
R
G
= 10
T
J
= 125°C
24
E
(ON)
I
C
=24A
E
(OFF)
T
J
= 125°C
E
(ON)
I
C
= 12A
E
(ON)
E
(OFF)
E
(OFF)
D=0.2
D=0.02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGA15N100C Lightspeed Series IGBT(VCES為1000V，VCE(sat)為3.5V的絕緣柵雙極晶體管)
IXGA15N120B HiPerFAST IGBT(VCES為1200V，VCE(sat)為3.2V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGA15N120C Lightspeed Series IGBT(VCES為1200V，VCE(sat)為3.8V的絕緣柵雙極晶體管)
IXGA20N100 IGBT
IXGP20N100 IGBT
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參數(shù)描述
IXGA12N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA14N120B 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:IGBT Optimized for switching up to 35 KHz
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IXGA15N100C 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1000V 3.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA15N120B 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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