參數(shù)資料
型號： IXGA12N60C
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： IXGA12N60C
2002 IXYS All rights reserved
Fig. 2. Extended Output Characteristics
Fig. 1. Saturation Voltage Characteristics
Fig. 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
Fig. 3. Saturation Voltage Characteristics
Fig. 6. Junction Capacitance Curves
Fig. 5. Saturation Voltage Characteristics
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
10
20
30
40
50
V
-Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
1
10
100
1000
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
V
C
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
10
20
30
40
50
V
GE
- Volts
3
4
5
6
7
8
9
10
I
C
0
5
10
15
20
25
30
13V
11V
9V
7V
V
CE
= 10V
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
I
C
= 6A
I
C
= 12A
I
C
= 24A
T
J
=
125°C
f = 1Mhz
5V
5V
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
7V
9V
5V
9V
V
GE
= 15V
C
iss
C
oss
C
rss
7V
11V
11V
13V
13V
V
CE
- Volts
0
4
8
12
16
20
I
C
0
20
40
60
80
100
IXGA12N60C IXGP12N60C
相關PDF資料
PDF描述
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IXGA15N120B 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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