參數(shù)資料
型號(hào)： IXGA12N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 24 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 81K
代理商： IXGA12N60B
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXGA 12N60B
IXGP 12N60B
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
C
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
5
11
S
C
ies
C
oes
C
res
860
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
100
pF
15
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
32
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
10
nC
10
nC
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
20
ns
20
ns
150
250
ns
120
270
ns
0.5
0.8
mJ
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
20
ns
20
ns
0.15
mJ
200
ns
200
ns
0.8
mJ
R
thJC
R
thCK
1.25 K/W
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 300
μ
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 18
Remarks: Switching times may increase
for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 300
μ
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 18
Remarks: Switching times may increase
for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
TO-220 AB Outline
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
12.70
14.73
13.97
16.00
0.500
0.580
0.550
0.630
C
D
9.91
3.54
10.66
4.08
0.390
0.139
0.420
0.161
E
F
5.85
2.54
6.85
3.18
0.230
0.100
0.270
0.125
G
H
1.15
2.79
1.65
5.84
0.045
0.110
0.065
0.230
J
K
0.64
2.54
1.01
BSC
0.025
0.100
0.040
BSC
M
N
4.32
1.14
4.82
1.39
0.170
0.045
0.190
0.055
Q
R
0.35
2.29
0.56
2.79
0.014
0.090
0.022
0.110
1. Gate
2. Collector
3. Emitter
4. Collector
Botton Side
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
A1
4.06
2.03
4.83
2.79
.160
.080
.190
.110
b
b2
0.51
1.14
0.99
1.40
.020
.045
.039
.055
c
c2
0.46
1.14
0.74
1.40
.018
.045
.029
.055
D
D1
8.64
7.11
9.65
8.13
.340
.280
.380
.320
E
E1
e
9.65
6.86
2.54
10.29
8.13
BSC
.380
.270
.100
.405
.320
BSC
L
L1
L2
L3
L4
14.61
2.29
1.02
1.27
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
.575
.090
.040
.050
.625
.110
.055
.070
.015
0
0
R
0.46
0.74
.018
.029
TO-263 AA Outline
Pins:
2 - Collector
4 - Collector
1 - Gate
3 - Emitter
Bottom Side
Min. Recommended Footprint
(Dimensions in inches and mm)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGP12N60B HiPerFAST IGBT
IXGA12N60CD1 Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(Lightspeed系列,VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGA12N60C HiPerFAST IGBT
IXGA15N100C Lightspeed Series IGBT(VCES為1000V，VCE(sat)為3.5V的絕緣柵雙極晶體管)
IXGA15N120B HiPerFAST IGBT(VCES為1200V，VCE(sat)為3.2V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGA12N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA12N60C 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA12N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA14N120B 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Optimized for switching up to 35 KHz
IXGA150N30TC 功能描述:IGBT 晶體管 150 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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