參數(shù)資料
型號(hào)： IXFX38N80Q2
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R
中文描述： 38 A, 800 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, PLUS247-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 605K
代理商： IXFX38N80Q2
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Fig. 11. Capacitance
100
1000
10000
0
5
10
15
V
D S
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
Q
G
- nanoCoulombs
80
100 120 140 160 180 200
V
G
V
DS
= 400V
I
D
= 19A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
3.5
4
4.5
V
G S
- Volts
5
5.5
6
I
D
T
J
= 125oC
25oC
-40oC
Fig. 8. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
0
10
20
30
40
50
60
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40oC
25oC
125oC
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 12. Forward-Bias
Safe Operating Area
1
10
100
1000
10
100
1000
V
D S
- Volts
I
D
100μs
1ms
DC
T
J
= 150oC
T
C
= 25oC
R
DS(on)
Limit
10ms
25μs
IXFK 38N80Q2 IXFN 38N80Q2
IXFX 38N80Q2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFK38N80Q2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R
IXFN38N80Q2 RECT UFST 100V 2A 50NS SMB SMD
IXFX44N55Q HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFX48N60P PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFX50N50 HiPerFET Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFX40N90P 功能描述:MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX420N10T 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX44N50F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX44N50Q 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX44N55Q 功能描述:MOSFET 44 Amps 550V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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