型號: | IXFX38N80Q2 |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R |
中文描述: | 38 A, 800 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | PLASTIC, PLUS247-3 |
文件頁數(shù): | 1/5頁 |
文件大小: | 605K |
代理商: | IXFX38N80Q2 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IXFK38N80Q2 | N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R |
IXFN38N80Q2 | RECT UFST 100V 2A 50NS SMB SMD |
IXFX44N55Q | HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS |
IXFX48N60P | PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode |
IXFX50N50 | HiPerFET Power MOSFETs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXFX40N90P | 功能描述:MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFX420N10T | 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFX44N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFX44N50Q | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFX44N55Q | 功能描述:MOSFET 44 Amps 550V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |