參數(shù)資料
型號： IXFX38N80Q2
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R
中文描述： 38 A, 800 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, PLUS247-3
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 605K
代理商： IXFX38N80Q2
2004 IXYS All rights reserved
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
3
6
9
12
V
D S
- Volts
15
18
21
24
27
30
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
5.5V
5V
6V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125
o
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
5V
5.5V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
7V
5V
5.5V
6V
Fig. 4. R
DS(on
)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Junction Temperature
0.4
0.7
1
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
3.1
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= 38A
I
D
= 19A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to
0.5 I
D25
Value vs. I
D
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
V
GS
= 10V
IXFK 38N80Q2 IXFN 38N80Q2
IXFX 38N80Q2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFK38N80Q2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R
IXFN38N80Q2 RECT UFST 100V 2A 50NS SMB SMD
IXFX44N55Q HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFX48N60P PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFX50N50 HiPerFET Power MOSFETs
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參數(shù)描述
IXFX40N90P 功能描述:MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX420N10T 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX44N50F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX44N50Q 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX44N55Q 功能描述:MOSFET 44 Amps 550V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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