參數(shù)資料
型號(hào)： IXFV26N60P
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
中文描述： 26 A, 600 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLUS220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 253K
代理商： IXFV26N60P
2005 IXYS All rights reserved
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125
o
C
0
4
8
12
16
20
24
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
5V
Fig. 4. R
DS(on
)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Junction Temperature
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- Degrees Centigrade
R
D
I
D
= 26A
I
D
= 13A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
-50
-25
0
T
C
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to
0.5 I
D25
Value vs. I
D
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
0
10
20
30
40
50
60
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125
∫
C
T
J
= 25
∫
C
V
GS
= 10V
Fig. 7. Input Admittance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= 125
∫
C
25
∫
C
-40
∫
C
Fig. 8. Transconductance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40
∫
C
25
∫
C
125
∫
C
IXFH 26N60P IXFQ 26N60P
IXFV 26N60P IXFV 26N60PS IXFT 26N60P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFV26N60PS N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFR100N25 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓250V,導(dǎo)通電阻27mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR10N100Q N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances
IXFR12N100Q N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances
IXFR120N20 HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247
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參數(shù)描述
IXFV26N60PS 功能描述:MOSFET 600V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFV30N50P 功能描述:MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFV30N50PS 功能描述:MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFV30N60P 功能描述:MOSFET 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFV30N60PS 功能描述:MOSFET 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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