參數(shù)資料
型號(hào)： IXFR10N100Q
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances
中文描述： 9 A, 1000 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 33K
代理商： IXFR10N100Q
1 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
DSS
V
DGR
T
J
= 25 C to 150 C
T
J
= 25 C to 150 C; R
GS
= 1 M
1000
1000
V
V
V
GS
V
GSM
Continuous
Transient
20
30
V
V
I
D25
T
C
= 25 C
12N100
10N100
12N100
10N100
12N100
10N100
10
9
48
40
12
10
A
A
A
A
A
A
I
DM
T
C
= 25 C, Pulse width limited by T
JM
I
AR
T
C
= 25 C
E
AR
T
C
= 25 C
30
mJ
dv/dt
I
S
T
J
I
, di/dt 100 A/ s, V
DD
V
DSS
150 C, R
G
= 2
5
V/ns
P
D
T
C
= 25 C
250
W
T
J
T
JM
T
stg
-55 ... +150
C
C
C
150
-55 ... +150
T
L
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
300
C
V
ISOL
50/60 Hz, RMS
t = 1 min
2500
V~
Weight
5
g
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
1000
typ.
max.
V
DSS
V
GS
= 0 V, I
D
= 3mA
V
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4mA
2.5
5.5
V
I
GSS
V
GS
= 20 V
DC
, V
DS
= 0
100
nA
I
DSS
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
50
1
A
mA
R
DS(on)
V
= 10 V, I
D
= I
T
Notes 1 & 2
12N100
10N100
1.05
1.2
98589 (1/99)
ISOPLUS 247
TM
G
D
Advanced Technical Information
Features
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<50pF)
Low R
HDMOS
TM
process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Fast intrinsic Rectifier
Applications
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor control
Advantages
Easy assembly
Space savings
High power density
G = Gate
S = Source
D = Drain
* Patent pending
Isolated back surface*
V
DSS
I
D25
10 A
9 A
R
DS(on)
1.05
1.20
IXFR 12N100Q 1000 V
IXFR 10N100Q 1000 V
t
rr
200 ns
HiPerFET
TM
Power MOSFETs
ISOPLUS247
TM
Q CLASS
(Electrically Isolated Back Surface)
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dV/dt
Low Gate Charge and Capacitances
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFR12N100Q N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances
IXFR120N20 HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR150N15 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓150V,導(dǎo)通電阻12.5mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR15N80Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻0.60Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR180N07 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓70V,導(dǎo)通電阻6mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFR120N20 功能描述:MOSFET 200V 105A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR12N100 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HiPerFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IXFR12N100F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR12N100Q 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR12N120P 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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