參數(shù)資料
型號： IXFT26N60P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
中文描述： 26 A, 600 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 253K
代理商： IXFT26N60P
2005 IXYS All rights reserved
TO-268 (IXFT) Outline
TO-3P (IXFQ) Outline
D1
E
L
L1
L2
L3
E1
e
b
c
D
A2
A1
A
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain
TAB - Drain
3 - Source
E1
E
L2
D
L3
L
L1
3X b
2X e
c
A2
A1
A
E1
D1
PLUS220 (IXFV) Outline
L
L1
L3
L4
L2
A1
A2
A3
E1
e
D1
E
b
c
D
A
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
4 (TAB) - Drain
E
E1
D
L2
A
A1
L1
L
L3
e
2X b
c
A2
L4
A3
E1
PLUS220SMD (IXFV_S)
TO-247 AD (IXFH) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
1 2 3
IXFH 26N60P IXFQ 26N60P
IXFV 26N60P IXFV 26N60PS IXFT 26N60P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFV26N60P N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFV26N60PS N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFR100N25 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓250V,導通電阻27mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR10N100Q N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances
IXFR12N100Q N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFT26N60Q 功能描述:MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT28N50F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT28N50Q 功能描述:MOSFET 28 Amps 500V 0.20W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT30N40Q 功能描述:MOSFET 30 Amps 400V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT30N50 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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