參數(shù)資料
型號： IXFR48N50Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class
中文描述： 40 A, 500 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： IXFR48N50Q
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= I
T
Notes 2, 3
30
45
S
C
iss
C
oss
C
rss
6400
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
930
pF
220
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
33
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
G
= 1
(External), Notes 2, 3
22
ns
75
ns
10
ns
Q
g(on)
Q
gs
190
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
Notes 2, 3
40
nC
Q
gd
86
nC
R
thJC
0.40
K/W
R
thCK
0.15
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
48
A
I
SM
Repetitive; Note 1
192
A
V
SD
I
F
= I
T
, V
GS
= 0 V, Notes 2, 3
1.5
V
t
rr
250
ns
Q
RM
1.4
μ
C
I
RM
10
A
I
F
= 25A,-di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
Note: 1. Pulse width limited by T
JM
2. Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
3. IXFR44N50Q:
IXFR48N50Q:
I
T
= 22 A
I
T
= 24 A
ISOPLUS 247 OUTLINE
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
e 5.45 BSC
L
19.81
L1
3.81
Q
5.59
R
4.32
Inches
Min.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
Max.
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
20.32
4.32
6.20
4.83
1 Gate, 2 Drain (Collector)
3 Source (Emitter)
4 no connection
IXFR 44N50Q
IXFR 48N50Q
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFR44N60 HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR44N80P PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFR4N100Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Backside)
IXFR50N50 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻100mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR55N50F HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFR48N60P 功能描述:MOSFET 600V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR48N60Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR4N100Q 功能描述:MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR50N50 功能描述:MOSFET 43 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR52N30Q 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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