參數(shù)資料
型號(hào)： IXFR44N60
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247
中文描述： 38 A, 600 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 34K
代理商： IXFR44N60
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= I
T
Notes 2, 3
30
45
S
C
iss
C
oss
C
rss
8900
1000
330
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
42
55
110
45
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
G
= 2.0
(External), Notes 2, 3
Q
g(on)
Q
gs
330
60
nC
nC
V
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
Notes 2, 3
Q
gd
65
nC
R
thJC
0.30
K/W
R
thCK
0.15
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
44
A
I
SM
Repetitive; Note 1
176
A
V
SD
I
F
= I
T
, V
GS
= 0 V, Notes 2, 3
1.3
V
t
rr
250
ns
Q
RM
1.4
C
I
RM
8
A
I
F
= 50A,-di/dt = 100 A/ s, V
R
= 100 V
Note: 1. Pulse width limited by T
2. Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
3. I
T
= 22A
IXFR 44N60
ISOPLUS 247 (IXFR) OUTLINE
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
e 5.45 BSC
L
19.81
L1
3.81
Q
5.59
R
4.32
S
13.21
T
15.75
U
1.65
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
.520 .540
.620 .640
.065 .080
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
20.32
4.32
6.20
4.83
13.72
16.26
3.03
1 Gate, 2 Drain (Collector)
3 Source (Emitter)
4 no connection
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFR44N80P PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFR4N100Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Backside)
IXFR50N50 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻100mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR55N50F HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
IXFR58N20Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻40mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
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參數(shù)描述
IXFR44N80P 功能描述:MOSFET DIODE Id26 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR48N50Q 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR48N60P 功能描述:MOSFET 600V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR48N60Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR4N100Q 功能描述:MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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