參數(shù)資料
型號(hào)： IXFR40N50Q2
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 29 A, 500 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 570K
代理商： IXFR40N50Q2
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
6,534,343
6,583,505
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= I
T
, pulse test
15
28
S
C
iss
C
oss
C
rss
4200
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
680
170
pF
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
17
13
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
G
= 2
(External),
42
ns
ns
8
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
110
25
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
50
nC
R
thJC
0.39
K/W
R
thCK
0.15
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ. max.
I
S
V
GS
= 0 V
40
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
160
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
RM
250
ns
μ
C
A
1
9
I
F
= 25A -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
IXFR40N50Q2
TO-264 AA Outline
ISOPLUS247 Outline
Note: Test current I
T
= 20A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFR44N50P PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247
IXFR44N50Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class
IXFR48N50Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class
IXFR44N60 HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR44N80P PolarHV HiPerFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFR40N50Q2_08 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET Q2-Class
IXFR40N90P 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR44N50P 功能描述:MOSFET 500V 44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR44N50Q 功能描述:MOSFET 34 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR44N50Q_03 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247, Q-Class
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