參數(shù)資料
型號(hào)： IXFR32N50Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
中文描述： 30 A, 500 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： IXFR32N50Q
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= I
T
Note 2
18
28
S
C
iss
C
oss
C
rss
3950
640
210
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
35
42
75
20
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
G
= 1
(External),
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
150
26
85
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
thJC
0.40
K/W
R
thCK
0.15
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
32
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
128
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V, Note 1
1.5
V
t
rr
250
ns
Q
RM
0.75
C
I
RM
7.5
A
I
= I
,
-di/dt = 100 A/ms,
V
R
= 100 V
Note: 1.
I
test condition:
IXFR30N50: I
T
= 15A
IXFR32N50: I
T
= 16A
Pulse test, t 300 s,
duty cycle d 2 %
IXFR 30N50Q
IXFR 32N50Q
Note: 2.
ISOPLUS 247 (IXFR) OUTLINE
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
e 5.45 BSC
L
19.81
L1
3.81
Q
5.59
R
4.32
S
13.21
T
15.75
U
1.65
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
.520 .540
.620 .640
.065 .080
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
20.32
4.32
6.20
4.83
13.72
16.26
3.03
1 Gate, 2 Drain (Collector)
3 Source (Emitter)
4 no connection
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFR38N80Q2 Electrically Isolated Back Surface
IXFR40N50Q2 HiPerFET Power MOSFETs
IXFR44N50P PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247
IXFR44N50Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class
IXFR48N50Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFR32N50Q_04 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR32N80P 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR32N80Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR34N80 功能描述:MOSFET 800V 28A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR36N50P 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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