參數(shù)資料
型號： IXFR26N50Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.20Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 24 A, 500 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： IXFR26N50Q
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 15 V; I
D
= I
T
Note 1
14
24
S
C
iss
C
oss
C
rss
3900
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
500
pF
130
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
28
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
G
= 1
(External),
30
ns
55
ns
16
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
95
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
27
nC
40
nC
R
thJC
0.50
K/W
R
thCK
0.15
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
26
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
104
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V, Note 1
1.3
V
t
rr
Q
RM
I
RM
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
250
1.5
ns
μ
C
A
0.85
8
I
F
= I
s
, -di/dt = 100 A/
μ
s,
V
R
= 100 V
Note: 1. Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
2. I
T
test current:
IXFR26N50Q
IXFR24N50Q
I
T
= 13A
I
T
= 12A
3. See IXFH26N50Q data sheet for characteristic curves.
IXFR 24N50Q
IXFR 26N50Q
ISOPLUS 247 OUTLINE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFR26N60Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓600V,導(dǎo)通電阻250mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR30N50 HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR30N50Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR32N50Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR38N80Q2 Electrically Isolated Back Surface
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFR26N60Q 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR27N80Q 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.35W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR30N110P 功能描述:MOSFET 30 Amps 1100V 0.4000 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR30N50 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR30N50Q 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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