參數(shù)資料
型號(hào)： IXFR180N10
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
中文描述： 180 A, 100 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 33K
代理商： IXFR180N10
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 90A
Note 2
60
90
S
C
iss
C
oss
C
rss
9400
3200
1660
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
50
90
140
65
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 90A
R
G
= 1
(External),
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
400
65
220
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 90A
R
thJC
R
thCK
0.30
K/W
K/W
0.15
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
180
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
720
A
V
SD
I
F
= 100A, V
GS
= 0 V, Note 1
1.5
V
t
rr
250
ns
Q
RM
1.1
C
I
RM
13
A
I
F
= 50A,-di/dt = 100 A/ s, V
R
= 100 V
Note: 1. Pulse width limited by T
2. Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
IXFR 180N10
ISOPLUS 247 (IXFR) OUTLINE
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
e 5.45 BSC
L
19.81
L1
3.81
Q
5.59
R
4.32
S
13.21
T
15.75
U
1.65
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
.520 .540
.620 .640
.065 .080
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
20.32
4.32
6.20
4.83
13.72
16.26
3.03
1 Gate, 2 Drain (Collector)
3 Source (Emitter)
4 no connection
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFR180N06 HiPerFETTM Power MOSFETs
IXFR200N10P PolarTM HiPerFET Power MOSFET
IXFR24N100 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻0.39Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR26N50Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.20Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR26N60Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓600V,導(dǎo)通電阻250mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFR180N15P 功能描述:MOSFET 94 Amps 150V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR1871 制造商:Ixys Corporation 功能描述:IXFR1871
IXFR18N90P 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR200N10P 功能描述:MOSFET 133 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR200N10P_06 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Polar HiPerFET Power MOSFET
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