參數(shù)資料
型號： IXFR100N25
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓250V,導(dǎo)通電阻27mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 87 A, 250 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： IXFR100N25
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFR 100N25
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= I
T
Notes 2, 3
40
70
S
C
iss
C
oss
C
rss
9100
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
1800
pF
600
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
42
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
G
= 1
(External), Notes 2, 3
55
ns
110
ns
40
ns
Q
g(on)
Q
gs
300
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
Notes 2, 3
57
nC
Q
gd
160
nC
R
thJC
0.3
K/W
R
thCK
0.15
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
100
A
I
SM
Repetitive; Note 1
400
A
V
SD
I
F
= I
T
, V
GS
= 0 V, Notes 2, 3
1.5
V
t
rr
250
ns
Q
RM
1.4
μ
C
I
RM
10
A
I
F
= 50A,-di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
Note: 1. Pulse width limited by T
JM
2. Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
3. I
T
= 50
ISOPLUS 247 OUTLINE
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PDF描述
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