參數(shù)資料
型號(hào)： IXFQ26N60P
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
中文描述： 26 A, 600 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 253K
代理商： IXFQ26N60P
2005 IXYS All rights reserved
TO-268 (IXFT) Outline
TO-3P (IXFQ) Outline
D1
E
L
L1
L2
L3
E1
e
b
c
D
A2
A1
A
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain
TAB - Drain
3 - Source
E1
E
L2
D
L3
L
L1
3X b
2X e
c
A2
A1
A
E1
D1
PLUS220 (IXFV) Outline
L
L1
L3
L4
L2
A1
A2
A3
E1
e
D1
E
b
c
D
A
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
4 (TAB) - Drain
E
E1
D
L2
A
A1
L1
L
L3
e
2X b
c
A2
L4
A3
E1
PLUS220SMD (IXFV_S)
TO-247 AD (IXFH) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
1 2 3
IXFH 26N60P IXFQ 26N60P
IXFV 26N60P IXFV 26N60PS IXFT 26N60P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFT26N60P N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFV26N60P N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFV26N60PS N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFR100N25 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓250V,導(dǎo)通電阻27mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR10N100Q N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFQ28N60P3 功能描述:MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFQ34N50P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFQ50N50P3 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFQ50N60P3 功能描述:MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFQ60N50P3 功能描述:MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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