參數(shù)資料
型號： IXFQ26N60P
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
中文描述： 26 A, 600 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 253K
代理商： IXFQ26N60P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFH 26N60P IXFQ 26N60P
IXFV 26N60P IXFV 26N60PS IXFT 26N60P
Fig. 11. Capacitance
10
100
1000
10000
0
5
10
15
V
D S
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
DS
= 300V
I
D
= 13A
I
G
= 10mA
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 125
∫
C
T
J
= 25
∫
C
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Resistance
0.01
0.10
1.00
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
R
(
∫
C
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PDF描述
IXFT26N60P N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFV26N60P N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFV26N60PS N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFR100N25 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓250V,導(dǎo)通電阻27mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR10N100Q N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances
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參數(shù)描述
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IXFQ50N50P3 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IXFQ60N50P3 功能描述:MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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