參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN50N25
廠商： IXYS Corporation
英文描述： HIPERFET Power MOSFTETs
中文描述： HIPERFET電力MOSFTETs
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 121K
代理商： IXFN50N25
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9.
Forward Voltage Drop of the
Intrinsic Diode
Figure 10. Transient Thermal Resistance
IXFK50N50
IXFN50N50
IXFK55N50
IXFN55N50
Gate Charge - nC
0
50
100
150
200
250
300
350
V
G
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 250V
I
D
= 27.5A
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
100
1000
10000
Crss
Coss
Ciss
f = 1MHz
V
SD
- Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
D
0
20
40
60
80
100
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
Pulse Width - Seconds
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.00
0.01
0.10
1.00
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PDF描述
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IXFX60N55Q2 HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
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參數(shù)描述
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