參數(shù)資料
型號： IXFN50N25
廠商： IXYS Corporation
英文描述： HIPERFET Power MOSFTETs
中文描述： HIPERFET電力MOSFTETs
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 121K
代理商： IXFN50N25
2002 IXYS All rights reserved
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
10
20
30
40
50
60
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
R
D
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
V
GS
- Volts
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
I
D
0
20
40
60
80
100
I
D
I
D
- Amperes
0
20
40
60
80
100
120
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
V
DS
- Volts
0
4
8
12
16
20
24
I
D
0
20
40
60
80
100
V
DS
- Volts
0
4
8
12
16
20
24
I
D
0
20
40
60
80
100
120
140
5V
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
T
J
= 125
O
C
V
GS
= 10V
T
J
= 25
O
C
6V
6V
5V
I
D
= 55A
T
J
= 125
o
C
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
I
D
= 27.5A
R
D
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
O
C
IXF_55N50
IXF_50N50
T
J
= 25
O
C
Figure 1. Output Characteristics at 25
O
C
Figure 2. Output Characteristics at 125
O
C
Figure 3.
R
DS(on)
normalized to 0.5
I
D25
D
Figure 4. R
DS(on)
normalized to 0.5
I
D25
J
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
Figure 6. Admittance Curves
IXFK50N50
IXFN50N50
IXFK55N50
IXFN55N50
相關PDF資料
PDF描述
IXFK50N50 CAP 0.18UF 50V 10% X7R DIP-2 TUBE-PAK S-MIL-PRF-39014/22
IXFK60N55Q2 HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFX60N55Q2 HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFK72N20 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導通電阻35mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK80N20 RESN_0603LF-10M, 5%, 0603LF
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN50N50 功能描述:MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN50N80Q2 功能描述:MOSFET 50 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN520N075T2 功能描述:功率驅動器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXFN52N90P 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN55N50 功能描述:MOSFET 55 Amps 500V 0.08 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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