參數(shù)資料
型號： IXFN130N30
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓300V,導(dǎo)通電阻18mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 130 A, 300 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 131K
代理商： IXFN130N30
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
DS
- Volts
1
10
100
I
D
1
10
100
Pulse Width - Seconds
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.001
0.010
0.100
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
V
SD
- Volts
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
I
D
0
40
80
120
160
200
Gate Charge - nC
0
100
200
300
400
500
600
700
V
G
0
2
4
6
8
10
12
Vds= 150V
= 65A
= 10mA
I
G
C
RSS
C
OSS
C
ISS
V
DS
I
D
f = 1MHz
520
T
C
= 25
O
C
10ms
1ms
0.1ms
DC
300
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
O
C
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9. Forward Voltage Drop of the
Intrinsic Diode
Figure 10. Transient Thermal Resistance
Figure10. Forward Bias Safe Operating
Area
IXFN 130N30
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IXFN140N20P 功能描述:MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN140N25T 功能描述:MOSFET GigaMOS HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN140N30P 功能描述:MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN150N10 功能描述:MOSFET 150 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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