參數(shù)資料
型號： IXFN130N30
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓300V,導(dǎo)通電阻18mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 130 A, 300 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 131K
代理商： IXFN130N30
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
DS
- Volts
0
4
8
12
16
20
I
D
0
40
80
120
160
200
V
- Volts
2
3
4
5
6
I
D
0
30
60
90
120
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
R
D
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
I
D
=60A
I
D
- Amperes
0
50
100
150
200
250
R
D
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
V
DS
- Volts
0
4
8
12
16
I
D
0
50
100
150
200
250
5V
V
GS
= 10V
V
GS
=10V
9V
8V
7V
T
J
=125
O
C
V
GS
=10V
T
J
=25
O
C
6V
6V
5V
T
J
= 25
o
C
I
D
=120A
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
o
C
V
GS
=10V
9V
8V
7V
T
J
= 125
O
C
Figure 3. R
normalized to 0.5 I
D25
value
vs. I
D
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
Figure 6. Admittance Curves
Figure 1. Output Characteristics at 25
O
C
Figure 2. Output Characteristics at
125
O
C
Figure 4. R
normalized to 0.5 I
D25
value vs. T
J
IXFN 130N30
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