參數(shù)資料
型號(hào)： IXFK90N20
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻23mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 90 A, 200 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 112K
代理商： IXFK90N20
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Fig.10 Transient Thermal Impedance
T
J
= 25
°
C
V
SD
- Volts
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
D
0
20
40
60
80
100
Pulse Width - Seconds
0.001
0.01
0.1
1
T
0.01
0.1
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
C
rss
C
oss
C
iss
Gate Charge - nCoulombs
0
50
100 150 200 250 300 350 400
V
G
0
2
4
6
8
10
12
14
V
DS
= 100V
I
D
= 50A
I
G
= 10mA
f = 1MHz
V
DS
= 25V
T
J
= 125
°
C
0.5
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Capacitance Curves
Fig.9
Source Current vs. Source
to Drain Voltage
IXFK100N20
IXFN90N20
IXFN106N20
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IXFN150N15 HiPerFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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