參數(shù)資料
型號： IXFK90N20
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻23mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 90 A, 200 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： IXFK90N20
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
60
S
C
iss
C
oss
C
rss
9000
1600
590
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
30
80
75
30
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(External),
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
380
70
190
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
TO-264 AA
TO-264 AA
0.25
K/W
K/W
0.15
R
thJC
R
thCK
miniBLOC, SOT-227 B
miniBLOC, SOT-227 B
0.24
K/W
K/W
0.05
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
IXFK90N20
IXFN100N20
IXFN106N20
90
100
106
A
A
A
IXFK90N20
IXFN100N20
IXFN106N20
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
I
= 100 A, V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
360
424
A
A
V
SD
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
RM
200
ns
C
A
I
F
= 50 A, -di/dt = 100 A/ s, V
R
= 100 V
3
38
Millimeter
Min.
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
Inches
Max.
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
Min.
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
Max.
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
TO-264 AA Outline
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
Inches
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
miniBLOC, SOT-227 B
IXFK100N20
IXFN90N20
IXFN106N20
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN100N25 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓250V,導(dǎo)通電阻27mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN120N20 CAP 8200PF 50V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
IXFN130N30 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓300V,導(dǎo)通電阻18mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN150N15 HiPerFET Power MOSFET
IXFN150N10 HiPerFET Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFK90N20 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-264
IXFK90N20Q 功能描述:MOSFET 200V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK90N20QS 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
IXFK90N30 功能描述:MOSFET 90 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK94N50P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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