參數(shù)資料
型號： IXFK26N90
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導通電阻0.30Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 26 A, 900 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： IXFK26N90
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFK 25N90 IXFX 25N90
IXFK 26N90 IXFX 26N90
V
SD
- Volts
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Case Temperature -
o
C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
0
5
10
15
20
25
30
Pulse Width - Seconds
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.001
0.010
0.100
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
100
1000
10000
Gate Charge - nC
0
50
100
150
200
250
300
350
V
G
0
3
6
9
12
15
Crss
Coss
Ciss
VDS = 500 V
ID = 13 A
IG = 10 mA
f = 1MHz
IXF_26N90
TJ = 125oC
TJ = 25oC
0.300
IXF_25N90
20000
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic
Diode
Figure10. Drain Current vs. Case
Temperature
Figure 11. Transient Thermal Resistance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFK27N80Q HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFR27N80Q HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFX27N80Q HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFK27N80 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導通電阻0.30Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK28N60 HiPerFET Power MOSFETs
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參數(shù)描述
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IXFK27N80Q 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK27N80Q_02 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFK28N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
IXFK30N100Q2 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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