參數(shù)資料
型號： IXFK26N90
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導(dǎo)通電阻0.30Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 26 A, 900 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： IXFK26N90
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
DS
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
D
0
5
10
15
20
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
I
D
0
5
10
15
20
25
30
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
R
D
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
V
GS
- Volts
2
3
4
5
6
7
I
D
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- Amperes
0
10
20
30
40
50
R
D
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
V
CE
- Volts
0
4
8
12
16
20
I
D
0
10
20
30
40
50
6V
5V
VGS = 10V
VGS = 9V
8V
TJ
= 25
°
C
VGS = 9V
8V
7V
TJ = 25
°
C
TJ = 125
°
C
4V
4V
TJ = 25
°
C
TJ = 125
°
C
5V
6V
4V
5V
6V
VGS = 9V
8V
7V
T
J
= 125
O
C
VGS = 10V
7V
ID = 26A
ID = 13A
T
J
= 25
O
C
Figure 1. Output Characteristics at 25
O
C
Figure 2. Extended Output Characteristics at 125
O
C
Figure 3. R
DS(on)
normalized to 0.5 I
D25
value vs. I
D
Figure 6. R
DS(on)
normalized to 0.5 I
D25
value vs.
T
Figure 5. R
DS(on)
normalized to 0.5 I
D25
value vs. I
D
Figure 4. Admittance Curves
IXFK 25N90 IXFX 25N90
IXFK 26N90 IXFX 25N90
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PDF描述
IXFK27N80Q HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFR27N80Q HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFX27N80Q HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
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參數(shù)描述
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IXFK27N80Q 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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