型號: | IXBH40N160 |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor - N-Channel, Enhancement Mode |
中文描述: | 33 A, 1600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
封裝: | TO-247AD, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大?。?/td> | 61K |
代理商: | IXBH40N160 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXBH42N170 | High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXBH42N170A | 功能描述:IGBT 晶體管 BIMOSET 42A 1700V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXBH5N160G | 功能描述:IGBT 晶體管 5 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXBH6N170 | 功能描述:IGBT 晶體管 12 Amps 1700V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXBH9N140 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.4KV V(BR)CES | 9A I(C) | TO-247AD |