參數(shù)資料
型號(hào)： IXBH40N160
廠(chǎng)商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor - N-Channel, Enhancement Mode
中文描述： 33 A, 1600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 61K
代理商： IXBH40N160
2000 IXYS All rights reserved
2 - 4
IXBH 40N140
IXBH 40N160
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
C
ies
C
oes
C
res
3300
220
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
30
Q
g
I
C
= 20 A, V
CE
= 600 V, V
GE
= 15 V
130
nC
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
R
thJC
R
thCK
200
60
270
40
ns
ns
ns
ns
0.35 K/W
0.25
K/W
Reverse Conduction
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
Symbol
Conditions
min.
typ.
max.
V
F
I
= I
, V
= 0 V, Pulse test,
t 300 s, duty cycle d 2 %
2.5
5
V
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
, V
= 15 V, L = 100 H,
V
CE
= 960 V, R
G
= 22
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
TO-247 AD Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXBH42N170 High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH9N140G High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH9N160G High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBJ40N140 N-Channel, Enhancement Mode High Voltage BIMOSFET(VCES為1400V，VCE(sat)為7.1V的N溝道增強(qiáng)型高電壓BIMOSFET)
IXDD404 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
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參數(shù)描述
IXBH42N170 功能描述:IGBT 晶體管 1700V 75A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH42N170A 功能描述:IGBT 晶體管 BIMOSET 42A 1700V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH5N160G 功能描述:IGBT 晶體管 5 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH6N170 功能描述:IGBT 晶體管 12 Amps 1700V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH9N140 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.4KV V(BR)CES | 9A I(C) | TO-247AD
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