參數(shù)資料
型號(hào)： IRLR120N
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
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代理商： IRLR120N
IRLR/U120N
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLRU3410 Logic Level Gate Drive / Fully Avalanche Rated
IRLU110 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRLR110 POWER MOSFET
IRLU7807Z HEXFET Power MOSFET
IRLR7807Z HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRLR120NPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR120NPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes
IRLR120NTR 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 100 V 48 W 20 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
IRLR120NTRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 10A 3PIN DPAK - Tape and Reel
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