參數資料
型號： IRLR120N
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應管）
文件頁數： 6/10頁
文件大?。?/td> 173K
代理商： IRLR120N
IRLR/U120N
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
5.0 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
10V
0
40
80
120
160
200
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
I
TOP 2.4A
4.2A
BOTTOM 6.0A
D
相關PDF資料
PDF描述
IRLRU3410 Logic Level Gate Drive / Fully Avalanche Rated
IRLU110 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管)
IRLR110 POWER MOSFET
IRLU7807Z HEXFET Power MOSFET
IRLR7807Z HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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IRLR120NPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR120NPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes
IRLR120NTR 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 100 V 48 W 20 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
IRLR120NTRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 10A 3PIN DPAK - Tape and Reel
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