參數(shù)資料
型號(hào)： IRLR120N
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
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代理商： IRLR120N
IRLR/U120N
www.irf.com
3
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
and
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
20μs PULSE W IDTH
T = 25°C
VGS
2.5V
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
20μs PULSE W IDTH
T = 175°C
VGS
2.5V
0.1
1
10
100
2
4
6
8
10
T = 25°C
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
T = 175°C
A
V = 50V
20μs PULSE W IDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
R
D
(
V = 10V
A
I = 10A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLRU3410 Logic Level Gate Drive / Fully Avalanche Rated
IRLU110 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRLR110 POWER MOSFET
IRLU7807Z HEXFET Power MOSFET
IRLR7807Z HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRLR120NPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR120NPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes
IRLR120NTR 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 100 V 48 W 20 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
IRLR120NTRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 10A 3PIN DPAK - Tape and Reel
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