參數資料
型號： IRLR120N
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應管）
文件頁數： 5/10頁
文件大小： 173K
代理商： IRLR120N
IRLR/U120N
www.irf.com
5
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
5.0V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
0
2
4
6
8
10
25
50
75
100
125
150
175
I
D
T , Case Temperature (°C)
A
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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