參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC30FPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 速度快IGBT的絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 229K
代理商： IRG4BC30FPBF
IRG4BC30FPbF
www.irf.com
7
D.U.T.
50V
L
V *
* Driver same type as D.U.T.; Vc = 80% of Vce(max)
* Note: Due to the 50V power supply, pulse width and inductor
will increase to obtain rated Id.
1000V
90&)
/(9
:0900
9(9
480μF
960V
t=5μs
d(on)
t
t
f
t
r
90%
t
d(off)
10%
90%
10%
5%
V
C
I
C
E
on
E
off
E = (E +E )
;/
<)
50V
Driver*
1000V
D.U.T.
I
C
C
V
L
;/
(9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC30K-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
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參數(shù)描述
IRG4BC30F-S 功能描述:IGBT FAST 600V 31A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC30F-SPBF 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BC30F-STRL 功能描述:DIODE IGBT 600V 31A COPAK D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC30F-STRLP 功能描述:IGBT 模塊 600V 31A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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