參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC30
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.59V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 17A條）
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 161K
代理商： IRG4BC30
4/24/2000
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
=
2.21V
@V
GE
= 15V, I
C
= 16A
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Collector-to-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Short Circuit Withstand Time
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 sec.
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.
Max.
600
28
16
58
58
10
±20
260
100
42
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
t
sc
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
A
μs
V
mJ
W
-55 to +150
°C
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)
10 lbfin (1.1Nm)
Short Circuit Rated
UltraFast IGBT
Parameter
Typ.
–––
0.5
–––
1.44
Max.
1.2
–––
40
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)
Weight
°
C/W
g
Thermal Resistance
E
C
G
n-channel
D Pak
Features
High short circuit rating optimized for motor control,
t
sc
=10μs, @360V V
CE
(start), T
J
= 125
°
C,
V
GE
= 15V
Combines low conduction losses with high
switching speed
Latest generation design provides tighter parameter
distribution and higher efficiency than previous
generations
As a Freewheeling Diode we recommend our
HEXFRED
TM
ultrafast, ultrasoft recovery diodes for
minimum EMI / Noise and switching losses in the
Diode and IGBT
Latest generation 4 IGBTs offer highest power
density motor controls possible
This part replaces the IRGBC30K-S and
IRGBC30M-S devices
Benefits
www.irf.com
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC30KDS INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4BC30S-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
IRG4BC30SS INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
IRG4BC30US INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. = 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4BC30W-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC30F 功能描述:IGBT FAST 600V 31A TO-220AB RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC30FD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220
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IRG4BC30FD1PBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-5kHz >20kHz resonant mode RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC30FDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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