參數(shù)資料
型號： IRG4BC30FPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 速度快IGBT的絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 229K
代理商： IRG4BC30FPBF
IRG4BC30FPbF
4
www.irf.com
!
"#
!
1.0
1.5
2.0
2.5
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
C
V
V = 15V
80μs PULSE WIDTH
A
I = 8.5A
I = 17A
I = 34A
C
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2
2. Peak T = P x Z + T
C
0
10
20
30
40
25
50
75
100
125
150
M
T , Case Temperature (°C)
V = 15V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC30K-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4BC30KD-STRR INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4BC30 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
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IRG4BC30S-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
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參數(shù)描述
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IRG4BC30F-SPBF 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BC30F-STRL 功能描述:DIODE IGBT 600V 31A COPAK D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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