參數(shù)資料
型號： IRG4BC30FPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 速度快IGBT的絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 229K
代理商： IRG4BC30FPBF
IRG4BC30FPbF
www.irf.com
3
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080)&6&
"
1
10
100
1000
1
10
C
I
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
T = 150°C
J
T = 25°C
J
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
A
1
10
100
1000
5
6
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
7
8
9
10
11
12
13
C
I
T = 25°C
T = 150°C
J
A
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
/
9
"
0
10
20
30
40
50
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
A
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
J
Tsink
Gate drive as specified
Power Dissipation = 21W
Triangular wave:
I
Clamp voltage:
80% of rated
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC30K-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4BC30KD-STRR INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4BC30 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
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參數(shù)描述
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IRG4BC30F-SPBF 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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