參數資料
型號： IRG4BC30FPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 速度快IGBT的絕緣柵雙極晶體管
文件頁數： 5/8頁
文件大小： 229K
代理商： IRG4BC30FPBF
IRG4BC30FPbF
www.irf.com
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400
800
1200
1600
2000
1
10
100
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
A
C
ies
C
res
C
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0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
50
60
G
V
Q , Total Gate Charge (nC)
A
V = 400V
I = 17A
C
1.30
1.35
1.40
1.45
1.50
0
10
20
30
40
50
60
T
A
V = 480V
V = 15V
T = 25°C
I = 17A
R , Gate Resistance (
)
0.1
1
10
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
A
R = 23
V = 15V
V = 480V
I = 8.5A
I = 17A
I = 34A
C
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PDF描述
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參數描述
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IRG4BC30F-SPBF 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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