參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC20MD-S
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 18 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 345K
代理商： IRG4BC20MD-S
IRG4BC20MD-SPbF
www.irf.com
5
Fig. 7 - Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8 - Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9 - Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10 - Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
1
10
100
0
200
400
600
800
V
, Collector-to-Emitter Voltage (V)
C,
Capacitance
(pF)
CE
V
C
=
0V,
C
f = 1MHz
+ C
C
SHORTED
GE
ies
ge
gc ,
ce
res
gc
oes
ce
gc
Cies
Coes
Cres
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
,Gate-to-Emitter
Voltage
(V)
G
GE
V
= 400V
I
= 11A
CC
C
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ, Junction Temperature (°C)
0.1
1
10
100
T
ot
al
S
w
itc
hi
ng
Lo
ss
es
(m
J)
RG = 50
VGE= 15V
VCC= 480V
IC= 22A
IC= 11A
IC= 5.5A
0
10
20
30
40
50
RG, Gate Resistance ()
2.3
2.4
2.5
T
ot
al
S
w
itc
hi
ng
Lo
ss
es
(m
J)
VCC= 480V
VGE = 15V
TJ= 25°C
I C= 11A
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PDF描述
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