參數(shù)資料
型號: IRG4BC20MD-S
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 18 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù): 5/11頁
文件大?。?/td> 345K
代理商: IRG4BC20MD-S
IRG4BC20MD-SPbF
www.irf.com
3
Fig. 1 - Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = IRMS of fundamental)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
6
8
10
12
14
16
V
, Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
,
C
ollec
tor-to-E
m
itter
C
urrent
(A
)
GE
C
V
= 50V
5s PULSE WIDTH
CC
T = 25 C
J
°
T = 150 C
J
°
60% of rated
voltage
Ideal diodes
0.1
1
10
100
f , Frequency ( kHz )
0.0
0.5
1.0
1.5
Lo
ad
C
ur
re
nt
(
A
)
Duty cycle : 50%
Tj = 125°C
Tsink = 90°C
Gate drive as specified
Turn-on losses include effects of
reverse recovery
Power Dissipation = 13W
0.1
1.0
10.0
VCE , Collector-to-Emitter Voltage (V)
0.1
1
10
100
I C
,C
ol
le
ct
or
-t
o
E
m
itt
er
C
ur
re
nt
(A
)
VGE= 15V
20s PULSE WIDTH
TJ = 25°C
TJ = 150°C
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PDF描述
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