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參數(shù)資料
| 型號： | IRG4BC20MD-S |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 18 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/11頁 |
| 文件大小： | 345K |
| 代理商： | IRG4BC20MD-S |
IRG4BC20MD-SPbF
www.irf.com
11
Notes:
Repetitive rating: VGE=20V; pulse width limited by maximum junction tem-
perature (figure 20)
VCC=80%(VCES), VGE=20V, L=10H, RG = 50 (figure 19)
Pulse width ≤ 80s; duty factor ≤ 0.1%.
Pulse width 5.0s, single shot.
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the industrial market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information. 01/2010
D2Pak Tape & Reel Information
Dimensions are shown in millimeters (inches)
3
4
TRR
FEED DIRECTION
1.85 (.073)
1.65 (.065)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
4.10 (.161)
3.90 (.153)
TRL
FEED DIRECTION
10.90 (.429)
10.70 (.421)
16.10 (.634)
15.90 (.626)
1.75 (.069)
1.25 (.049)
11.60 (.457)
11.40 (.449)
15.42 (.609)
15.22 (.601)
4.72 (.136)
4.52 (.178)
24.30 (.957)
23.90 (.941)
0.368 (.0145)
0.342 (.0135)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
13.50 (.532)
12.80 (.504)
330.00
(14.173)
MAX.
27.40 (1.079)
23.90 (.941)
60.00 (2.362)
MIN.
30.40 (1.197)
MAX.
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
NOTES :
1. COMFORMS TO EIA-418.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION MEASURED @ HUB.
4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4RC20FPBF | 22 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
| IRGDDN400M12 | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| IRHF597130 | 6.7 A, 100 V, 0.24 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
| IRHF7110SCV | 3.5 A, 100 V, 0.69 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
| IRHM57064SCS | 35 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4BC20MDS_07 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4BC20MD-SPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4BC20MD-STRL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC20MD-STRR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC20S | 功能描述:IGBT STD 600V 19A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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