參數(shù)資料
型號: IRG4BC20MD-S
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 18 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù): 10/11頁
文件大?。?/td> 345K
代理商: IRG4BC20MD-S
IRG4BC20MD-SPbF
8
www.irf.com
t1
Ic
Vce
t1
t2
90% Ic
10% Vce
td(off)
tf
Ic
5% Ic
t1+5S
Vce ic dt
90% Vge
+Vge
Eoff =
Fig. 18b - Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a, Defining
Eoff, td(off), tf
Vceiedt
t2
t1
5% Vce
Ic
Ipk
Vcc
10% Ic
Vce
t1
t2
DUT VOLTAGE
AND CURRENT
GATE VOLTAGE D.U.T.
+Vg
10% +Vg
90% Ic
tr
td(on)
DIODE REVERSE
RECOVERY ENERGY
tx
Eon =
Erec =
t4
t3
Vd id dt
t4
t3
DIODE RECOVERY
WAVEFORMS
Ic
Vpk
10% Vcc
Irr
10% Irr
Vcc
trr
Qrr =
trr
tx
id dt
Same type
device as
D.U.T.
430F
80%
of Vce
Fig. 18a - Test Circuit for Measurement of
ILM, Eon, Eoff(diode), trr, Qrr, Irr, td(on), tr, td(off), tf
Fig. 18c - Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining Eon, td(on), tr
Fig. 18d - Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining Erec, trr, Qrr, Irr
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PDF描述
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