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參數(shù)資料
| 型號： | IRFY430CM |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 500 Volt, 1.5Ω N-Channel HEXFET Power MOSFET(500 V, 1.5Ω N溝道 HEXFET功率 MOS場效應管) |
| 中文描述： | 500伏，1.5ΩN溝道HEXFET功率MOSFET（500伏特，1.5Ω?溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 141K |
| 代理商： | IRFY430CM |
Fig. 11 — Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case Vs. Pulse Duration
Fig. 12c — Max. Avalanche Energy vs. Current
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig. 12a — Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b — Unclamped Inductive Waveforms
RG
IAS
0.01
tp
D.U.T
L
VDS
+
-VDD
DRIVER
A
Fig. 13a — Gate Charge Test Circuit
IRFY430CM Device
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
A
T
P
DM
t2
1
t
Notes:
1. Duty factor D = t 1
2
2. Peak TJ
DM
thJC
C
0
50
100
150
200
250
300
25
50
75
100
125
150
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
I = 4.5A
V = 50V
DD
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| IRFY430CSCX | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 500V 4.5A 3PIN TO-257 - Bulk |
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