參數(shù)資料
型號： IRF820AS
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： JFETs
英文描述： 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大?。?/td> 162K
代理商： IRF820AS
IRF820AS/L
QG
QGS
QGD
VG
Charge
D.U.T.
VDS
ID
IG
3mA
VGS
.3
F
50K
.2
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V (B R)DSS
I AS
R G
IAS
0.01
tp
D.U.T
L
V DS
+
-
VDD
DRIV E R
A
15 V
20V
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
,
Single
Pulse
Avalanche
Energy
(mJ)
J
AS
°
ID
TOP
BOTTOM
1.1A
1.6A
2.5A
Fig 12d. Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
IAV , Avalanche Current ( A)
550
600
650
700
V
DSav
,
Avalanche
Voltage
(
V
)
Document Number: 90089
www.vishay.com
6
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PDF描述
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IRFBC20STRL 2.2 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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