參數(shù)資料
型號: IRFBC20S
元件分類: JFETs
英文描述: 2.2 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: POWER, D2PAK-3
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大?。?/td> 35K
代理商: IRFBC20S
相關PDF資料
PDF描述
IRFBC30S 3.6 A, 600 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFF130 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
IRFF131 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
IRFF132 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
IRFF133 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFBC20S/LPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFBC20SPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC20STRL 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC20STRLPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC20STRR 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件