參數(shù)資料
型號： IRF820AS
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： JFETs
英文描述： 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 162K
代理商： IRF820AS
IRF820AS/L
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
,Source-to-Drain Voltage (V)
I
,
Reverse
Drain
Current
(A)
SD
V
= 0 V
GS
T = 25 C
J
°
T = 150 C
J
°
0.1
1
10
100
10
100
1000
10000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY RDS(on)
Single Pulse
T
= 150 C
= 25 C
°
J
C
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
,
Drain
Current
(A)
I
,
Drain
Current
(A)
DS
D
10us
100us
1ms
10ms
0
4
8
12
16
0
5
10
15
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
,
Gate-to-Source
Voltage
(V)
G
GS
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
D
13
2.5A
V
= 100V
DS
V
= 250V
DS
V
= 400V
DS
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
C,
Capacitance(pF)
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V,
f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds+ Cgd
Document Number: 90089
www.vishay.com
4
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PDF描述
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