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參數(shù)資料
| 型號： | IRF820AS |
| 廠商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 10/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 162K |
| 代理商： | IRF820AS |
IRF820AS/L
D2Pak Package Outline
D2Pak
Part Marking Information
10.16 (.400)
R E F .
6.47 (.2 55 )
6.18 (.2 43 )
2.61 (.1 03 )
2.32 (.0 91 )
8.89 (.350)
R E F .
- B -
1.3 2 (.05 2)
1.2 2 (.04 8)
2.7 9 (.110 )
2.2 9 (.090 )
1.39 (.055)
1.14 (.045)
5.28 (.2 08 )
4.78 (.1 88 )
4.69 (.185)
4.20 (.165)
10.54 (.415)
10.29 (.405)
- A -
2
1
3
15.49 (.610)
14.73 (.580)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
5 .08 (.20 0)
3X
1.40 (.0 55)
1.14 (.0 45)
1.7 8 (.07 0)
1.2 7 (.05 0)
1.4 0 (.055 )
M AX.
NO TE S:
1 DIM ENS IO NS A F T ER SO LDE R DIP .
2 DIM ENS IO NING & T O LE RANCING P ER ANS I Y1 4.5M , 19 82 .
3 CO NT RO L LING DIM ENS IO N : INCH.
4 HE AT SINK & L EA D DIM E NSIO NS DO NO T INCLUDE B URRS .
0.55 (.0 22)
0.46 (.0 18)
0.25 (.0 10 )
M
B A M
M INIM UM RECO M M E NDE D F O O TP RINT
11.43 (.450)
8 .89 (.35 0)
17 .78 (.70 0)
3.81 (.1 5 0)
2.0 8 (.08 2)
2 X
LE AD AS SIG N M E N TS
1 - G AT E
2 - D RA IN
3 - SO URCE
2.5 4 (.100 )
2 X
PAR T N U M B ER
IN TE RN ATIO NA L
RE CT IF IE R
L O G O
D A T E CO DE
(Y YW W )
YY = YEAR
WW = WE E K
A S SEM BL Y
L O T
C O D E
F530 S
9 B
1 M
9246
A
Document Number: 90089
www.vishay.com
8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9610 | 1.8 A, 200 V, 3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRFBC20STRL | 2.2 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| IRFBC20S | 2.2 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IRF820ASTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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| IRF820B | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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