參數(shù)資料
型號： IRF7521D1
廠商： International Rectifier
英文描述： FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm, Schottky Vf=0.39V)
中文描述： FETKY⑩MOSFET的/肖特基二極管（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）\u003d 0.135ohm，肖特基室顫\u003d 0.39V）
文件頁數(shù)： 5/8頁
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代理商： IRF7521D1
IRF7521D1
www.irf.com
5
Power Mosfet Characteristics
0.1
0.00001
1
10
100
1000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig 9.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 10.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
R
D
(
)
Fig 11.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
A
I , Drain Current (A)
V = 2.5V
V = 5.0V
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
A
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I = 1.7A
D
R
D
(
)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF7521D1TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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IRF7523D1PBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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